AK640陶瓷封装非制冷红外探测器
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产品描述: AK640采用自主开发的非冷却VOx热成像传感器，分辨率为640 × 512。AK640产品兼顾了高灵敏度和高可靠性，可以满足高清成像的需求。 |
红外图像显示:
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| 像素大小:17um | |
| 封装模式:36PIN无TEC陶瓷PGA封装24×24×3.9mm（mm） | |
| 帧速率:25-60赫兹 | |
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产品特点: 像素大小17μm 低功耗，典型＜150mW，低功耗模式可＜120mW ≤50Hz 全数字设计，内置14bit列ADC 宽动态测温能力，支持最高700℃测温范围3.6V/1.8V/供电，易开发应用 |
技术参数
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定义 |
描述 |
典型值 |
备注 |
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传感器 |
未冷却的VOx微测辐射热计 |
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光谱范围 |
长波红外，8μm至14μm |
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数组大小 |
640x512 |
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不包含外围虚拟像素的行或列 |
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包装 |
36针PGA陶瓷封装 |
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像素大小 |
17 μm |
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帧速率 |
≤50赫兹 |
30赫兹 |
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可操作性 |
> 99.5% |
99.8% |
有效像素比 |
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像素电阻 |
90至140kohm |
100kohm |
@ T = 300k |
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最大宏偏移调整范围 |
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75000磅 |
6位精度 |
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微观不平衡调节范围 |
5000-25000磅 |
10000磅 |
4位精度 |
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不平衡不均匀温度漂移 |
数组的均方根值 |
10LSB/K |
@ T = 300K |
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片上ADC位 |
14位 |
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温度响应率 |
目标温度变化到AD输出变化 |
-75LSB/K |
@ F = 1，T = 300K |
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片上模拟输出摆幅 |
<2.3V |
2.2V |
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热敏感性 |
时域网络 |
50mK |
@ F = 1，T = 300K，30Hz |
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典型输出噪声 |
峰到峰 |
20LSBp-p |
@ T = 300K，30Hz，100帧 |
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MEMS电阻压降 |
1V-1.4V |
1.4V |
@ VSK = 3.4V |
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偏置噪声抑制能力 |
0.1-100Hz，VSK-Vout |
0dB |
@ T = 300K，30Hz |
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积分时间调整 |
0-2560Tscl |
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步长32Tscl |
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整体电容齿轮 |
8档 |
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数字输出 |
4端口CMOS逻辑电平 |
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包含温度感应输出 |
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输入时钟 |
40-100兆赫 |
50兆赫 |
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控制协议 |
SPI |
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外部帧同步 |
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电源电压 |
3.6V/1.8V |
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数字IO兼容3.3V/1.8V |
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功耗 |
低功耗，典型＜150mW 低功耗模式可＜120mW≤50Hz |
120兆瓦 |
@ T = 300K，30Hz |
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尺寸 |
24 × 24 × 3.9毫米 |
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重量 |
10克 |
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工作温度范围 |
-40 ~ 85 ℃ |
27 ℃ |
没有技术 |
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开始时间 |
检测器通电输出图像 |
<1s |
与外部去耦电容器的大小有关 |
